Theo Softpedia, trong ngày hôm qua (29/1), điểm đo hiệu năng benchmark của Galaxy S7 trên Geekbench đã lộ diện. Phiên bản bị lộ điểm là SM-G930A được phát hành bởi nhà mạng AT&T tại Mỹ.

>>> Thay cam ung sony z5 tại Carephone

Điểm số mà Galaxy S7 đạt được là 2282 điểm cho thử nghiệm đơn nhân và 4979 cho thử nghiệm đa nhân. Với điểm số này, chip Snapdragon 820 trang bị trên GM-G930A có sức mạnh vượt trội hơn hẳn chip Exynos 7420 trên Galaxy Note 5 (đơn nhân 1224, đa nhân 4269) và Galaxy S6 edge (đơn 1342, đa nhân 4510).

>>> Thay màn hình zenfone 5 chất lượng

Ảnh chụp bị rò rỉ từ Geekbench cũng hé lộ phiên bản Galaxy S7 dành cho AT&T sẽ có 4GB RAM và được cài đặt Android 6.0.1 Marshmallow. Xung nhịp chip Snapdragon 820 được hé lộ là 1.59GHz với 4 nhân ARM.

>>> Thay mặt kính s3 uy tín

Bên cạnh phiên bản Galaxy S7 sử dụng Snapdragon 820, Samsung chắc chắn cũng sẽ ra mắt một bản S7 được trang bị chip Exynos 8890 do hãng tự phát triển. Cả Snapdragon 820 và Exynos 8890 đều được sản xuất trên chu trình 14nm mới của Samsung. Chiếc Galaxy S7 edge hiện đã được hé lộ mã hiệu là SM-G935, song các chi tiết cấu hình cụ thể về mẫu smartphone này hiện chưa được làm rõ.


Theo Xaluan.